基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较

发布时间：2017-07-15 19:31

  本文关键词：基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较

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【摘要】：利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较,根据主要竞争国家的综合竞争地位分析,发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高,但高质量专利较少,研发机构竞争实力不足,属于技术相对落后者。最后利用SWOT分析对提高氧化锌宽禁带半导体技术的创新水平给出相应的建议。
【作者单位】： 北京工业大学经济与管理学院;
【关键词】： 氧化锌 宽禁带半导体材料 专利分析 中外比较
【基金】：国家社会科学基金重大项目“新兴技术未来分析理论方法与产业创新研究”(编号:11&ZD140)
【分类号】：TN304.21;G306
【正文快照】： 0引言宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料,以氮化镓(G a N)、碳化硅(S i C)、金刚石、氧化锌(Zn O)为代表,具有禁带宽、热导率大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、激光器以及探测器件等方面展现出巨大潜力,成为世界各国半导体研

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1 吴峗;出版物生产流程的中外比较[J];出版与印刷;2005年02期

2 ;[J];;年期

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本文编号：545448