热循环退火对InAs/Si(211)薄膜结构和电学性能的影响

发布时间：2025-05-20 01:10

　　 InAs作为III-V族化合物半导体材料,可以应用于磁阻和霍尔元器件、量子点激光器元件、太阳能电池和红外探测器元件等方面,具有广泛的研究和应用前景.本文以Si（211）为衬底,采用热壁外延（hot wall epitaxy,HWE）技术制备了InAs薄膜,研究热循环退火（thermal cycle annealing,TCA）次数对InAs/Si（211）薄膜结构及电学性能的影响.热壁外延制备InAs薄膜的衬底温度为400℃,生长时间为4 h,不同的热循环退火次数为2、4、6、8、10.X射线衍射（XRD）测试表明:利用HWE技术在Si（211）衬底表面成功制备了闪锌矿结构的InAs薄膜,且沿（111）取向择优生长;TCA能够明显增强Si（211）衬底表面生长的InAs薄膜的择优取向.扫描电子显微镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）测试分析表明:随着TCA次数增加到6次,InAs/Si（211）薄膜表面由于晶粒细化作用变得均匀平整,表面粗糙度从69.63 nm降低到56.43 nm,此时霍尔迁移率达到2.67×10～3cm²/（V·s）;过多的退火次数（≥8次）又...

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验
    1.1 Si (211) 衬底的处理
    1.2 薄膜的制备及热循环退火方法
    1.3 测试及分析方法
2 结果与讨论
    2.1 退火次数对InAs薄膜晶体结构的影响
    2.2 退火次数对InAs薄膜表面形貌的影响
    2.3 退火次数对InAs薄膜电学性能的影响
3 结论



本文编号：4046612