GaN/In x Ga 1-x N型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响

发布时间：2025-06-27 03:17

　　 GaN/In_xGa_1-xN型最后一个量子势垒结构能有效提高发光二极管（LED）器件内量子效率,缓解LED效率随输入电流增大而衰减的问题.本文综述了该结构及其结构变化——In组分梯度递增以及渐变、GaN/In_xGa_1-xN界面极化率改变等对改善LED器件性能的影响及优势,归纳总结了不同结构的GaN/In_xGa_1-xN型最后一个量子垒的工作机理,阐明极化反转是该结构提高LED性能的根本原因.在综述该结构发展的基础之上,通过APSYS仿真计算,进一步探索和深入分析了该结构中In_xGa_1-xN层的In组分及其厚度变化对LED内量子效率的影响.结果表明:In组分的增加有助于在GaN/In_xGa_1-xN界面产生更多的极化负电荷,增加GaN以及电子阻挡层处导带势垒高度,减少电子泄漏,从而提高LED的内量子效率;但GaN/In_xGa_1-xN型...

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 引言
2 Ga N/InxGa1-xN作为最后一个量子垒的研究概况
3 器件仿真及结果分析
4 结论



本文编号：4053719