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二维二硫化钼的相态选择性合成及性质研究

发布时间:2022-07-12 15:07
  二硫化钼(MoS2)是典型的层状多相态材料,其物理、化学性质与相态紧密相关。热力学稳定相(2H相)单层MoS2具有1.9 e V直接带隙,为半导体工业的发展提供了超薄沟道材料,而亚稳态(1T相及其畸变相1T’相)MoS2则呈现出超导等新奇物性,为研究低维材料体系的新性质与新规律提供了独特的平台。高质量材料的可控合成是其基础应用研究的前提。但是,二维MoS2的相态控制合成研究刚刚起步,还有诸多关键科学问题亟待解决,包括:如何实现亚稳态二维MoS2的选择性合成;二维亚稳定相态性质与结构之间的关联规律;如何实现异质/相MoS2的化学叠层与拼接,构筑二维功能性新结构。针对以上关键问题,本论文以实现二维MoS2的相态选择性合成为目标,主要内容分为以下四个部分:1.发展了二维2H相MoS2的成核控制方法。针对化学气相沉积反应中成核效率不高的问题,设计了金属有机配合物为前驱体的方法。同时提供金属钼源与成核促进剂,促进剂的优先吸... 

【文章页数】:142 页

【学位级别】:博士

【文章目录】:
摘要
abstract
主要符号对照表
第1章 绪论
    1.1 二维二硫化钼的相态、结构及性质
        1.1.1 二维二硫化钼的相态与结构之间的关联
        1.1.2 二维二硫化钼的性质与相态之间的关联
    1.2 二维二硫化钼的热力学稳定相态制备方法
        1.2.1 自上而下的剥离法
        1.2.2 自下而上的生长法
    1.3 二维二硫化钼的热力学亚稳定相态制备方法
        1.3.1 相转变法
        1.3.2 直接合成法
    1.4 论文的选题目的及研究思路
第2章 二维2H相二硫化钼的控制合成及其性质
    2.1 化学气相沉积实验体系
        2.1.1 实验装置及反应历程
        2.1.2 二维晶体的成核及生长
        2.1.3 影响反应的主要因素
    2.2 基于金属有机配合物为前驱体合成单层2H相MoS_2及其性质
        2.2.1 金属有机配合物的制备
        2.2.2 单层2H相MoS_2的生长结果
        2.2.3 单层2H相MoS_2的结构和性质
        2.2.4 反应机理
    2.3 本章小结
第3章 单层二硫化钼的相态选择性合成
    3.1 相态选择性合成的实验原理
    3.2 基于分解反应合成二维2H相MoS_2
        3.2.1 二维2H相MoS_2的生长方法
        3.2.2 二维2H相MoS_2的结构与性质
    3.3 基于还原反应合成单层1T'相MoS_2
        3.3.1 单层1T'相MoS_2的生长方法
        3.3.2 单层1T'相MoS_2的结构与性质
    3.4 本章小结
第4章 二维1T'相二硫化钼的性质
    4.1 1T'相MoS_2的各向异性性质
        4.1.1 二维晶体材料中的各向异性
        4.1.2 二维1T'相MoS_2的各向异性
    4.2 1T'相MoS_2的电化学析氢性能
        4.2.1 1T'相MoS_2的宏观电化学析氢性能
        4.2.2 1T'相MoS_2的微观电化学析氢性能
    4.3 本章小结
第5章 二维二硫化钼异质异相结构的控制合成及性质
    5.1 二维晶体材料的异质异相结构
    5.2 双层MoS_2层间异相结构的控制合成及其性质
    5.3 单层MoS_2面内异相结构的控制合成及其性质
        5.3.1 单层MoS_2面内异相结构的控制合成
        5.3.2 单层MoS_2面内异相结构的结构及性质
    5.4 基于二维MoS_2异相结构电子器件的构筑及其性能
        5.4.1 场效应晶体管
        5.4.2 整流二极管
    5.5 二维过渡金属硫族化合物异质异相结构控制合成的探索
        5.5.1 2H相 TMDC-2H相 MoS_2异质结构
        5.5.2 1T'相Re S2-1T'相MoS_2异质结构
        5.5.3 2H相WSe2/Mo Se2-1T'相MoS_2异质异相结构
    5.6 本章小结
第6章 结论与展望
    6.1 主要结论
    6.2 前景展望
参考文献
致谢
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果


【参考文献】:
期刊论文
[1]石墨烯等二维原子晶体薄片样品的光学衬度计算及其层数表征[J]. 韩文鹏,史衍猛,李晓莉,罗师强,鲁妍,谭平恒.  物理学报. 2013(11)



本文编号:3659347

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