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1041. 形核层生长速率和阱层生长温度对MOCVD生长
GaN
外延薄膜的影响
1042. Cascode型
GaN
HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究
1043. 用于饮用水中有害阴离子检测的
GaN
基HEMT传感器的研究
1044. 表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长
GaN
材料的影响
1045. 基于三轴X射线衍射方法的n-
GaN
位错密度的测试条件分析
1046. 蓝宝石衬底上氮极性
GaN
薄膜的MOCVD生长及其发光器件特性研究
1047. 含V形坑的Si衬底
GaN
基单量子阱绿光LED有源区研究
1048. 利用选择性外延法生长单芯片双波长白光In
GaN
/
GaN
多量子阱结构
1049. 无线通信中的宽带高效率功率放大器及
GaN
HEMT器件建模研究
1050. 应用于高压
GAN
栅驱动负压关断的Buck-Boost的研究与设计
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