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171. 碳化硅
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173. 高压脉冲发生器中SiC
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174. InGaAs肖特基源漏
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175. 基于广义傅里叶级数的平面
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漏/源电阻半解析模型
176. 基于
MOSFET
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177. 一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽
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紧凑型模型
178. 基于碳化硅
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179. 大容量碳化硅
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模块及变流器应用关键技术研究
180. 10kV/200A大功率碳化硅
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混合模块设计
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