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191. Ni
Si
Ge金属源漏组分对肖特基势垒Ge
MOSFET
电学性能的影响
192. 基于模块导通电阻的碳化硅
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键合线健康状态评估方法
193. 1200V碳化硅
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在智能电网电力电子设备中的应用特性研究
194. 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏
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漏致势垒降低效应研究
195. 中国电科13所成功研制出1200 V/20 A
Si
C
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芯片
196. 4H-
Si
C平面型和沟槽型
MOSFET
高低温下的特性(英文)
197. 桥式电路中不同封装
Si
C
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串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路
198. 小型混动游艇双向全桥型DC-DC变换器
MOSFET
开路故障诊断方法
199. 4H-
Si
C
MOSFET
s
Si
C-
Si
O 2 界面附近陷阱俘获和1/f噪声相关性研究
200. 中科院微电子所_清华大学微电子所_微电子所铟镓砷
mosfet
射频开关芯片研究获进展
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