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211. 新型Si
C
沟槽IGBT的模拟研究
212. Si
C
功率MOSFET损耗特性的研究
213. 宽禁带Si
C
单晶衬底研究进展
214. Si
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衬底紫外LED制备和研究
215. Si
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单相光伏逆变器效率分析
216. Si
C
发光特性及其调控研究进展
217. Si
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基GaN激光划片工艺研究
218. Si
C
超结VDMOS研究与优化设计
219. 含氢硅油制备Si
C
晶须的研究
220. Si
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材料的化学机械协同抛光研究
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