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241.
4H-SiC
和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应
242.
4H-SiC
MOS电容栅介质经
N
O退火电流导通机理研究
243. 一种
4H-SiC
基MIS SBD高温气敏传感器的研究
244. 一种应用于脉冲功率领域的
4H-SiC
GTO晶闸管的设计
245. 宽带隙半导体
4H-SiC
核辐射探测器的设计与仿真
246.
4H-SiC
平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性(英文)
247. 基于
4H-SiC
雪崩光电二极管的日盲紫外单光子探测系统设计
248.
4H-SiC
sam-A
P
D结构紫外光电探测器的设计与制备
249. 高温湿氧工艺
4H-SiC
MOS电容与SBD的质子辐照效应研究
250. SiO 2 /
4H-SiC
(0001)界面碳二聚体缺陷钝化的第一性原理研究
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