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241. Al 2 O 3 /4H-SiC MOS结构制备及相关性能研究
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242. 4H-SiC肖特基结紫外探测器的性能及可靠性研究
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243. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应
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244. 4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究
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245. 一种4H-SiC基MIS SBD高温气敏传感器的研究
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246. 一种应用于脉冲功率领域的4H-SiC GTO晶闸管的设计
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247. 宽带隙半导体4H-SiC核辐射探测器的设计与仿真
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248. 4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性（英文）
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249. 基于4H-SiC雪崩光电二极管的日盲紫外单光子探测系统设计
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250. 4H-SiC sam-APD结构紫外光电探测器的设计与制备
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