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261. 具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS 2 /SiO 2 场效应晶体管（英文）
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262. 嵌入孤立位错的单层MoS 2 结构和三维的汞黝矿结构的力学性质和破坏机制
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263. 二维层状WS 2 /MoS 2 异质结中镧系近红外光子发射与能量转移(英文)
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264. TC4合金表面微弧氧化原位生长自润滑MoS 2 /TiO 2 膜层研究
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265. 二次镍层复镀对Ni-MoS 2 复合涂层结构和摩擦承载能力的影响(英文)
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266. 原位化学氧化构建高性能MoS 2 -MoO 3 面内同质异质结光敏晶体管(英文)
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267. 二硫化钼（MoS_2）基复合纳米材料的制备及其电化学储锂性能研究
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268. 高K氧化物绝缘栅GaAs半导体MOS-HEMT器件的数值模拟研究
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269. TC4钛合金表面原位生长MoS 2 /TiO 2 微弧氧化膜层制备工艺研究
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270. PtSe 2 /FTO与MoS 2 /PtSe 2 /FTO薄膜的制备及光催化制氢性能研究
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