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hdpe ga
331.
GaN
HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比特性研究
332.
GaN
基LED外延片的光学电学和应力研究
333. 基于
GaN
器件的双Buck逆变器共模与损耗
334. Si衬底
GaN
基功率电子材料及器件的研制
335. 基于耦合量子阱的
GaN
基垂直结构LED器件研究
336. 一种新型
GaN
功率开关器件(GIT)中子辐照效应研究
337.
GaN
基肖特基势垒二极管结构优化研究进展
338. 采用PVT法生长
GaN
纳米线的仿真和实验研究
339. 低位错
GaN
及低温AlN的MOCVD外延生长研究
340. 基于功率半桥拓扑的
GaN
器件高频开关特性研究
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