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351.
P
LD法
Si
基上BaM成膜技术研究
352. 应变
Si
纳米MOS器件单粒子效应研究
353.
SI
基本单位量子化重新定义及其意义
354. 有预期效果的
SI
团体知识传播模型分析
355. CH掺
Si
/Ge辐射烧蚀特性研究
356. Al-Cr-RE（RE=Dy,Er）、Ho-Zr-
Si
与Dy-
N
b-
Si
三元系等温截面的研究
357. 基于体验消费的餐饮连锁业
SI
设计研究
358.
Si
含量对Cr
Si
N
涂层结构和性能的影响
359.
Si
对CoCrAlY涂层抗热腐蚀性能的影响（英文）
360. 单轴应变
Si
N
MOSFET模型及模拟技术研究
31
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