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ga 模式
391. HVPE生长的高质量
GaN
纳米柱的光学性能
392. 干法刻蚀辅助型
GaN
MOSFET的器件工艺及电学特性研究
393.
GaN
基LED不同功能层的MOCVD生长及其性能研究
394. 苏州纳米所在增强型
GaN
HEMT器件研究方面取得进展
395. 毫米波
GaN
基HEMT小信号与大信号建模
396. 载流子分布对
GaN
基LED频率特性的影响(英文)
397. 基于
GaN
的Ka波段功率放大器设计及热分析
398. 初始应力对垂直结构
GaN
基LED光电性能影响的研究
399. SiC衬底
GaN
基材料MOCVD生长及HEMT器件研制
400. 片上传输线模型与
GaN
HEMT小信号模型研究
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