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401.
GaN
衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响
402. 半导体所研制出
GaN
基紫外激光器
403.
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404. TMIn流量对
GaN
基蓝光LED外延薄膜的影响
405. Mg掺杂
GaN
结构及电子结构的理论研究
406. Ku波段
GaN
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407. 300nm
GaN
基半导体激光器结构研究
408. MOCVD制备不同衬底
GaN
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409. L频段宽带
GaN
芯片高功率放大器设计
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基LED光电性能及可靠性研究
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