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ga p-i-n
401. 干法刻蚀辅助型
GaN
MOSFET的器件工艺及电学特性研究
402.
GaN
基LED不同功能层的MOCVD生长及其性能研究
403. 苏州纳米所在增强型
GaN
HEMT器件研究方面取得进展
404. 毫米波
GaN
基HEMT小信号与大信号建模
405. 载流子分布对
GaN
基LED频率特性的影响(英文)
406. 基于
GaN
的Ka波段功率放大器设计及热分析
407. 初始应力对垂直结构
GaN
基LED光电性能影响的研究
408. SiC衬底
GaN
基材料MOCVD生长及HEMT器件研制
409. 片上传输线模型与
GaN
HEMT小信号模型研究
410. Al
GaN
缓冲层结构对Si基
GaN
材料性能的影响
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p-i-n
gan
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