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471. 电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT
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472. 量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响
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473. 砷化镓GaAs氮化镓GaN材料的发展趋势与市场应用
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474. N面GaN基HEMT器件的直流特性数值模拟和仿真研究
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475. GaN基半导体材料热电性质的第一性原理计算与研究
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476. 2017年射频GaN市场打响未来器件之战哪项技术会出局
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477. GaN-MOCVD垂直喷淋式反应室的优化设计
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478. 采用石墨烯透明电流扩展层提高光子晶体GaN LED性能的研究
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479. 超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用
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480. GaN纳米线光电阴极电子结构和光学性质的第一性原理研究
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