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521. In
GaN
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GaN
多量子阱太阳能电池的制备及其特性研究
522. 晶格匹配InAlN/
GaN
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523. Al
GaN
/
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524. 热源尺寸对Al
GaN
/
GaN
HEMT器件热阻的影响机理
525. Al
GaN
/
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526. 垂直结构
GaN
基LED薄膜芯片静电失效演变的表征与研究
527. 电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/
GaN
高频HEMT
528. 先驱体浸渍-裂解
SiC
界面改性涂层对气相渗硅3D-C f /
SiC
复合材料力学性能的影响
529.
SiC
晶片加工技术现状与趋势
530. 微波合成
SiC
晶体的工艺研究
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