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si ga
531. Al
GaN
/
GaN
HEMT器件的高场高温可靠性研究
532. 垂直结构
GaN
基LED薄膜芯片静电失效演变的表征与研究
533. 电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/
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高频HEMT
534. 先驱体浸渍-裂解
SiC
界面改性涂层对气相渗硅3D-C f /
SiC
复合材料力学性能的影响
535.
SiC
晶片加工技术现状与趋势
536. 微波合成
SiC
晶体的工艺研究
537. 微波熔盐法制备
SiC
改性石墨
538.
SiC
功率MOSFET器件研制进展
539. 液相诱导微波合成
SiC
工艺研究
540. Ca-Mg-Al-Si-O及Y-Al-Si-O玻璃连接
SiC
f /
SiC
工艺及性能
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