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ga p-i-n
541. 阱区结构对硅衬底
GaN
基LED器件光电性能影响的研究
542.
GaN
基FP-HEMT器件的新结构与解析模型研究
543. 提高瞬态红外设备检测
GaN
HEMT结温准确度的方法
544.
GaN
基紫外LED多量子阱势阱层材料生长条件的研究
545. 不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底
GaN
基LED光衰研究
546. 不同插入层对抑制Mg掺杂p-
GaN
的记忆效应
547. 第三代半导体
GaN
功率开关器件的发展现状及面临的挑战
548. 图形化蓝宝石衬底形貌对
GaN
基LED出光性能的影响
549. 应变及掺杂对
GaN
及InN光电性质影响的第一性原理研究
550. 反应动力学参数变化对MOVPE生长
GaN
的反应路径模拟的影响
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