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551. 干法刻蚀辅助型
GaN
MOSFET的器件工艺及电学特性研究
552.
GaN
基LED不同功能层的MOCVD生长及其性能研究
553. 苏州纳米所在增强型
GaN
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554. 毫米波
GaN
基HEMT小信号与大信号建模
555. 载流子分布对
GaN
基LED频率特性的影响(英文)
556. 基于
GaN
的Ka波段功率放大器设计及热分析
557. 初始应力对垂直结构
GaN
基LED光电性能影响的研究
558. SiC衬底
GaN
基材料MOCVD生长及HEMT器件研制
559. 片上传输线模型与
GaN
HEMT小信号模型研究
560. Al
GaN
缓冲层结构对Si基
GaN
材料性能的影响
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