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601. 高压下半导体材料ZrS 2 和GaN的结构演化和电子性质调控研究
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602. 基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）
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603. 基于感光栅极GaN高迁移率晶体管的新型探测器制备与优化（英文）
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604. 非极性面AlGaN/GaN异质结各向异性迁移率的理论研究
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605. 形核层生长速率和阱层生长温度对MOCVD生长GaN外延薄膜的影响
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606. Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究
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607. 用于饮用水中有害阴离子检测的GaN基HEMT传感器的研究
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608. 表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响
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609. 基于三轴X射线衍射方法的n-GaN位错密度的测试条件分析
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610. 蓝宝石衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及其发光器件特性研究
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