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601. Ka波段
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HEMT单片集成功率放大器的设计
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HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比特性研究
603.
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604. 基于
GaN
器件的双Buck逆变器共模与损耗
605. Si衬底
GaN
基功率电子材料及器件的研制
606. 基于耦合量子阱的
GaN
基垂直结构LED器件研究
607. 一种新型
GaN
功率开关器件(GIT)中子辐照效应研究
608.
GaN
基肖特基势垒二极管结构优化研究进展
609. 采用PVT法生长
GaN
纳米线的仿真和实验研究
610. 低位错
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及低温AlN的MOCVD外延生长研究
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