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ga p-i-n
611. A novel enhancement mode Al
GaN
/
GaN
high electron mobility tr
612. Optimization design on breakdown voltage of Al
GaN
/
GaN
high-e
613. 高压下半导体材料ZrS 2 和
GaN
的结构演化和电子性质调控研究
614. 基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/
GaN
场效应晶体管(英文)
615. 基于感光栅极
GaN
高迁移率晶体管的新型探测器制备与优化(英文)
616. 非极性面Al
GaN
/
GaN
异质结各向异性迁移率的理论研究
617. 形核层生长速率和阱层生长温度对MOCVD生长
GaN
外延薄膜的影响
618. Cascode型
GaN
HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究
619. 用于饮用水中有害阴离子检测的
GaN
基HEMT传感器的研究
620. 表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长
GaN
材料的影响
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gan
gan led
ingan gan
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