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si ga
611.
GaN
基紫外LED多量子阱势阱层材料生长条件的研究
612. 不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底
GaN
基LED光衰研究
613. 不同插入层对抑制Mg掺杂p-
GaN
的记忆效应
614. 第三代半导体
GaN
功率开关器件的发展现状及面临的挑战
615. 图形化蓝宝石衬底形貌对
GaN
基LED出光性能的影响
616. 应变及掺杂对
GaN
及InN光电性质影响的第一性原理研究
617. 反应动力学参数变化对MOVPE生长
GaN
的反应路径模拟的影响
618.
GaN
基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究
619. 基于
GaN
晶体管的高频全桥逆变器波形补偿技术研究
620. 超薄玻璃衬底上高质量ZnO缓冲层与
GaN
薄膜的低温生长
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