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631. 中子辐照6H-Si
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单晶的缺陷回复研究
632. 基于SI
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633. 包覆改善低成本Si
C
基石墨的电化学性能
634. Si
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气凝胶吸波材料的制备及性能研究
635. 宽温度范围低开关损耗Si
C
MOSFET驱动电路研究
636. 磷酸盐结合Si
C
多孔陶瓷的制备及性能研究
637. Si
C
MOSFET在加速器电源中的应用
638. 6061和Si
C
p /6061合金时效析出动力学
639. 静电纺丝法制备超细ZrO 2 /Si
C
纤维的研究
640. 集成温度传感器的3300V Si
C
VDMOS设计
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