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642. Ga 2 O 3 /
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643.
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644. 等离子体表面处理对硅衬底
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基蓝光发光二极管内置n型欧姆接触的影响
645. (
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649. 基于60nmT型栅f T &f max 为170&210 GHz的InAlN/
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HFETs器件(英文)
650. 高性能X波段增强型凹栅Al 2 O 3 /Al
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/
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MIS-HEMT
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