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641.
GaN
晶体在飞秒紫外波段激发下的可变非线性吸收效应和光动力学过程研究
642. 图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动
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643. 准备层及量子阱区生长条件对Si衬底
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644. n-ZnO纳米棒/p-
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646. 加载功率与壳温对Al
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647. 基于
GaN
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648. 刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-
GaN
表面粗化的影响
649. 衬底切偏角和p型欧姆接触对Si衬底
GaN
基LED性能稳定性的影响
650.
GaN
基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性
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