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ga p-i-n
671. U型槽刻蚀工艺对
GaN
垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响
672. 纤锌矿In x Ga 1-x N/
GaN
核壳量子点中类氢杂质态的光吸收性质
673. 具有高开启/关断电流比的Al 2 O 3 /Al
GaN
/
GaN
金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文)
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