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案例 4h-sic
61. 埋栅
4H-SiC
静电感应晶体管结构设计优化和特性研究
62. 基于
4H-SiC
PiN的桥式整流器关键工艺与高温特性研究
63. 退火条件对
4H-SiC
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64. Si 2+ /He + 离子辐照对单晶
4H-SiC
力学性能的影响
65.
4H-SiC
肖特基结紫外探测器的性能及可靠性研究
66. 超高压
4H-SiC
p-IGBT器件材料CVD外延生长
67.
4H-SiC
和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应
68.
4H-SiC
MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究
69. 一种
4H-SiC
基MIS SBD高温气敏传感器的研究
70. 一种应用于脉冲功率领域的
4H-SiC
GTO晶闸管的设计
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