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61. 基于
4H-SiC
P
iN的桥式整流器关键工艺与高温特性研究
62. 退火条件对
4H-SiC
/SiO2 MOS电容特性的影响研究
63. Si 2+ /He + 离子辐照对单晶
4H-SiC
力学性能的影响
64. Al 2 O 3 /
4H-SiC
MOS结构制备及相关性能研究
65.
4H-SiC
肖特基结紫外探测器的性能及可靠性研究
66.
4H-SiC
和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应
67.
4H-SiC
MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究
68. 一种
4H-SiC
基MIS SBD高温气敏传感器的研究
69. 一种应用于脉冲功率领域的
4H-SiC
GTO晶闸管的设计
70. 宽带隙半导体
4H-SiC
核辐射探测器的设计与仿真
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