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802. GaN基紫外LED多量子阱势阱层材料生长条件的研究
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803. 不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底GaN基LED光衰研究
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805. 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
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806. 图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响
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808. 反应动力学参数变化对MOVPE生长GaN的反应路径模拟的影响
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810. 基于GaN晶体管的高频全桥逆变器波形补偿技术研究
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