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881. 表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响
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882. 基于三轴X射线衍射方法的n-GaN位错密度的测试条件分析
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883. 蓝宝石衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及其发光器件特性研究
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884. 含V形坑的Si衬底GaN基单量子阱绿光LED有源区研究
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885. 利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN/GaN多量子阱结构
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886. 无线通信中的宽带高效率功率放大器及GaN HEMT器件建模研究
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887. 应用于高压GAN栅驱动负压关断的Buck-Boost的研究与设计
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888. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射
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889. Si基AlGaN/GaN增强型MIS-HFET阈值电压调制技术研究
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890. 有源区结构对硅衬底GaN基LED载流子输运及复合影响的研究
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