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901. Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high
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902. 晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性
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903. 高反射率的Ag基p-GaN欧姆接触层的形成机理研究
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904. Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron
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905. 基于二次外延的p型栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管
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906. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管可靠性与新结构的研究与设计
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907. 基于条纹状蓝宝石衬底和硅衬底的GaN基LED的制备及性能研究
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908. AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射制变温研究
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909. 脐带间充质干细胞增强无精子症模型睾丸特异性基因表达以及精子发生中GRTH蛋白结合基序与TP2 mRNA作用区域研究
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910. Qorvo发布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器
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