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901. n-AlInGaN作为电子缓冲层量子势垒的GaN基LED发光效率提升研究
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902. 槽栅与氧等离子体处理的AlGaN/GaN HEMT特性及温度稳定性研究
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903. 槽栅与氧等离子体处理的AlGaN/GaN HEMT特性及温度稳定性研究
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904. 基于感知注意力和隐空间正则化的GAN在草图到真实图像的转换研究
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905. Characterization of Interface State Density of Ni/p-GaN Stru
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906. 利用新型图形化衬底与SiN x 插入层提高GaN外延层晶体质量的相关设计
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907. n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED光电性能的研究
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908. Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high
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909. 晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性
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910. 高反射率的Ag基p-GaN欧姆接触层的形成机理研究
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