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10 si
921. Al 2 O 3 /4H-
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922. 连续增强
SiC
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929. 中国电科13所成功研制出1200 V/20 A
SiC
MOSFET芯片
930. Ti/Ni为中间层的
SiC
陶瓷扩散连接接头高温力学性能研究
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