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961. 原位沉积的SiN_x插入层对GaN晶体结构及形貌的影响
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962. 图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
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963. 阱区结构对硅衬底GaN基LED器件光电性能影响的研究
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964. GaN基FP-HEMT器件的新结构与解析模型研究
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965. 提高瞬态红外设备检测GaN HEMT结温准确度的方法
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966. GaN基紫外LED多量子阱势阱层材料生长条件的研究
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967. 不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底GaN基LED光衰研究
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968. 不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN的记忆效应
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969. 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
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970. 图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响
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