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1. 4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应

2. 高性能4H-SiC功率VDMOSFET器件设计及关键工艺研究

3. 晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响

4. 一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构

5. 功率VDMOSFET终端结构的击穿特性研究与设计

6. 基于6H-SiC单晶的PiN器件研制

7. 中子辐照6H-SiC单晶的缺陷回复研究

8. 钒补偿6H-SiC光导开关的模拟仿真

9. 6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析（英文）

10. 强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

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