二氧化碳对MPCVD法制备金刚石单晶影响的研究

发布时间：2019-02-26 19:38

【摘要】： 本文采用微波等离子体化学气相沉积MPCVD(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)方法,在常规反应气氛条件(H2:CH4:N2=500 sccm:60 sccm:1.8 sccm)下,引入二氧化碳(CO2)气体,在(100)取向金刚石单晶衬底上同质外延生长金刚石。研究了不同流量的CO2对样品生长的影响。通入适量的CO2,样品的生长速率从未通入CO2的45μm/h提高到70μm/h,生长面的粗糙度在CO2流量10 sccm降低到1.1 nm。表面生长台阶流动方式也发生变化。光发射谱(OES)结果证明了CO2的引入改变了等离子体球内各反应基团的比例,并进一步影响了样品的与氮相关的光致发光谱(PL)。
[Abstract]:In this paper, the microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) method was used to introduce carbon dioxide (CO2) gas under conventional reaction atmosphere (H2:CH4:N2=500 sccm:60 sccm:1.8 sccm) conditions. Diamond was grown on (100) oriented diamond substrate by homogeneous epitaxy. The effects of different flow rates of CO2 on the growth of samples were studied. The growth rate of CO2, samples was increased to 70 渭 m / h at 45 渭 m / h of CO2, and the roughness of growth surface was reduced to 1.1 nm. at CO2 flow rate of 10 sccm. The flow pattern of the surface growing step has also changed. The (OES) results showed that the introduction of CO2 changed the proportion of the reactive groups in the plasma sphere, and further affected the nitrogen-related photoluminescence spectrum (PL). Of the sample.
【学位授予单位】：吉林大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2010
【分类号】：TQ164

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本文编号：2431086