GaN基蓝光与绿光激光器（英文）

发布时间：2025-05-27 04:18

　　 GaN基激光二极管(LD)将半导体LD的波长扩展到可见光谱和紫外光谱范围,因此有望被广泛用于光钟等量子技术、生物医疗仪器、激光显示、照明和材料加工等领域.尽管它们与GaN基发光二极管(LED)基于相同的Ⅲ氮化物材料,但是蓝光和绿光LD面临更大的挑战.在本文中,我们从外延生长和结构设计的角度对GaN基蓝光和绿光LD面临的挑战和进展进行了回顾总结. InN、GaN和AlN之间的晶格常数和生长条件差异很大,因此需要进行深入研究来提高蓝光,尤其是绿光LD的InGaN/GaN多量子阱(MQW)增益介质的材料质量. p型掺杂分布,生长条件和器件结构对减少内部损耗并抑制InGaN MQW的热退化至关重要.此外,空穴注入也是GaN基LD面临的关键问题.

【文章页数】：16 页

【文章目录】：
INTRODUCTION
CHALLENGES
    Crystalline defects
    Light absorption
    Carrier injection
    Quantum confined Stark effect
PROGRESS OF BLUE LDs
    Epitaxial growth:suppression of dark spots
    Internal optical loss
    Hole transport and distribution
    Determination of internal parameters
    LD characteristics
PROGRESS OF GREEN LDs
    Improvement of luminescent homogeneity
    Suppression of thermal degradation
    Carbon impurities in the p-Al Ga N:Mg cladding layer
    Hybrid green LDs with ITO cladding layers
CONCLUSIONS



本文编号：4047497