新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe 4 生长与性质表征

发布时间：2025-05-11 01:46

　　 锶镉锗硒（SrCdGeSe₄）晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe₄多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe₄单晶,尺寸为■27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe₄晶片,选取一片8×8×2 mm³双面抛光（110）晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:（220）摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm²。

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
0 引 言
1 实 验
    1.1 多晶合成
    1.2 单晶生长
    1.3 性能测试
2 结果与讨论
    2.1 物相分析
    2.2 单晶生长
    2.3 摇摆曲线
    2.4 红外透过光谱
    2.5 激光损伤阈值
3 结 论



本文编号：4044653