复合氮化铝压电薄膜研制及其应用

发布时间：2025-06-04 01:07

　　 采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。

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【部分图文】：

图1 AlN及Mo多晶薄膜XRD衍射曲线

对制备的AlN(压电层)/Mo/AlN(种子层)/NCD/Si复合压电薄膜样品进行了X线衍射(XRD)分析,图1为XRD衍射曲线。图2为摇摆曲线。由图1可看出,AlN压电薄膜(002)面X线衍射峰峰值强度Imax=3673cps(每秒计数)(特征衍射角2θ=36.131....

图2 AlN薄膜XRD摇摆曲线

图1AlN及Mo多晶薄膜XRD衍射曲线2钇铝石榴石(YAG)基Al/Cr/AlN/Au/Cr复合压电薄膜

图3 AlN薄膜XRD衍射曲线

采用XRD对研制出的Au/Cr基AlN压电薄膜样品进行了XRD分析,获得了该样品XRD衍射曲线及其摇摆曲线如图3、4所示。由图3可知,AlN压电薄膜(002)面X线衍射峰Imax=736cps(2θ=35.9853°);其FWHM=0.2608°。由图4可知,AlN压电薄膜....

图4 AlN薄膜XRD摇摆曲线

图3AlN薄膜XRD衍射曲线3复合AlN压电薄膜的应用

本文编号：4049087