(Al x Ga 1-x ) 2 O 3 薄膜的制备及其光电性能研究

发布时间：2025-06-19 05:23

　　近年来,(Al_xGa_1-x)₂O₃作为一种超宽带隙半导体材料,由于其优异的光电性能与化学稳定性,使得其在高功率器件和紫外探测等方面具有潜在价值。本文使用磁控溅射,通过Al/Ga₂O₃靶和Al₂O₃/Ga₂O₃靶制备了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜,研究了不同参数对(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜晶体质量的影响,并在(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜上制备了叉指电极,形成了MSM型紫外探测器,分析了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜的光电...

【文章页数】：86 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 课题背景及研究的目的和意义
    1.2 Ga₂O₃ 的基本性质
    1.3 Al掺杂对Ga₂O₃ 薄膜的影响
    1.4 国内外研究现状及分析
        1.4.1 国内研究现状
        1.4.2 国外研究现状
        1.4.3 国内外文献综述
    1.5 本论文的主要研究方法
第2章 样品制备与表征手段
    2.1 薄膜制备
        2.1.1 实验所需材料
        2.1.2 磁控溅射设备及原理
        2.1.3 后退火处理
    2.2 日盲紫外探测器
    2.3 实验表征
        2.3.1 X射线衍射(XRD)
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)
        2.3.3 紫外-可见光谱(UV-VIS)
        2.3.4 X射线光电子能谱分析(XPS)
        2.3.5 拉曼光谱测试(Raman Spectra)
        2.3.6 光谱响应测试
第3章 高Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜制备及组织结构研究
    3.1 引言
    3.2 高Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的表征与分析
        3.2.1 溅射功率对高Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影响
        3.2.2 溅射压强对高Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影响
        3.2.3 退火温度对高Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影响
    3.3 本章小结
第4章 低Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜制备及其组织结构研究
    4.1 引言
    4.2 低Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的表征与分析
        4.2.1 溅射功率对低Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影响
        4.2.2 溅射压强对低Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影响
        4.2.3 氧流量对低Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影响
    4.3 本章小结
第5章 日盲紫外探测器的制备及其研究
    5.1 引言
    5.2 结晶度对(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜光电性能的影响
    5.3 制备方法对(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜光电性能的影响
    5.4 本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文及其他成果
致谢



本文编号：4050921