基于SiGe工艺的X波段多功能芯片设计

发布时间：2025-06-24 04:11

　　 采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路。传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓（GaAs）工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si基工艺来实现,大大降低了芯片成本,同时提高了集成度。通过采用片内温度补偿、相位补偿和并联峰化等一系列技术,使其达到较好的温度特性、较小的衰减附加相移和宽带特性。测试结果表明:该多功能芯片工作频率8 GHz～12 GHz,均方根相位误差3°,衰减附加相移小于2.5°,接收增益10 dB,发射增益3 dB。芯片包含焊盘的尺寸约为12.6 mm²。在性能和GaAs工艺多功能芯片相当的前提下,面积减小30%以上,成本可以大幅降低。

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【文章目录】：
0 引 言
1 芯片架构
2 电路设计
    2.1 放大器电路
    2.2 衰减器电路
    2.3 移相器电路
    2.4 开关电路
    2.5 温度补偿
3 测试结果
4 结束语



本文编号：4052467