栅介质对随机掺杂波动引起MOSFET性能变化的影响

发布时间：2025-07-07 04:25

　　 根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动（RDF）引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同时通过改变栅介质的介电常数（ε）和等效氧化层厚度(d_ox),观测其对RDF引起的模拟/射频性能变化的影响。结果显示,RDF引起的MOSFET模拟/射频性能参数变化表现出不同的特征,而在适当选择较高的ε和d_ox情况下,RDF引起的模拟/射频性能参数变化标准差有一定程度的减小（绝对标准偏差整体降低到接近0,相对标准偏差整体最大降低10%）,为通过改变等效栅介质抑制RDF的影响提供了实验依据。

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【文章目录】：
0 引言
1 建模与仿真
2 实验结果和讨论
3 结论



本文编号：4056495