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一种改进型天文应用低噪声红外探测器读出电路结构设计

发布时间:2025-05-05 04:26
   在短波红外天文探测应用中,背景辐射极低、信号电流极小,每秒仅产生几个光电子,为了实现较高的信噪比,探测器应具有极低的噪声。在目前国际主流天文应用红外读出电路源随器(SFD)结构的基础上,提出了一种改进型读出电路输入级结构设计,即行共用模块的单位增益缓冲器(UB)结构,在电路仿真中,实现了输入级等效输入噪声小于1e-,线性度为0.994。

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

图2SFD结构等效输入噪声模型采用的工艺设计

图2SFD结构等效输入噪声模型采用的工艺设计

图2SFD结构等效输入噪声模型采用GlobalFoundries的0.18μmIC工艺设计了如图1(c)所示的单元电路结构,W=5μm,L=5μm,取K=10-28V2·F,Cox=5.38×10-3F·m2,根据仿真结果得到的gm1、gm2,代入计算得到fc≈2kHz。在天文探....


图3SFD结构单元版图改进型单位增益缓冲器单元结构

图3SFD结构单元版图改进型单位增益缓冲器单元结构

间跨导。一般情况下,源随器在未消除体效应的影响时,增益约为0.7~0.8,并且会带来非线性,在应用过程中是难以接受的,故必须消除。图3所示为SFD结构的单元电路版图结构,像元中心距为15μm,在版图设计过程中,消除体效应需在DRC规则内,将PMOS管衬底所在的N阱与其源连接,单独....


图4单位增益缓冲器型单元结构

图4单位增益缓冲器型单元结构

图4单位增益缓冲器型单元结构图5UB结构等效噪声模型当仅考虑1/f噪声时,需增加器件面积和输入管的gm1,新结构在不需要连接衬底与源的情况下,单元输入管M1的沟道宽、长分别为W=10μm、L=9μm,进一步增大了器件的面积,且除M2外其余器件在单元外部,器件版图面积不受限制。UB....


图6UB结构单元版图

图6UB结构单元版图

0.001KCoxf1(WL)1+g2m2(WL)2g2m1+[g2m3(WL)3·g2m1]·df=2.6×10-12(ln1000-ln0.001)=3.952×10-11V2(11)其中,gm由仿真结果得到:Vn,inUB=6.286μV(12)与式(6)对比,UB结构的噪....



本文编号:4043112

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