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长春光机所高速垂直腔面发射激光器研究进展

发布时间:2025-07-19 02:34
   高速垂直腔面发射激光器(VCSEL)是高速光通信的主要光源之一,受数据流量的迅速增长牵引,高速VCSEL正向更大带宽、更高速率方向发展。长春光机所团队通过优化VCSEL外延设计和生长、器件设计和制备、以及性能表征技术,在多个波长的高速VCSEL的调制带宽、传输速率、模式、功耗等性能方面取得了显著进展。实现高速单模940 nm VCSEL 27.65 GHz调制带宽和53 Gbit/s传输速率;通过波分复用基于850 nm、880 nm、910 nm和940 nm高速VCSEL实现200 Gbit/s链路方案;通过光子寿命优化,实现高速VCSEL低至100 fJ/bit的超低能耗;实现1 030 nm高速VCSEL 25 GHz调制带宽;实现1 550 nm高速VCSEL 37 Gbit/s传输速率。研制的高速VCSEL在光通信等领域有重要应用前景。

【文章页数】:8 页

【部分图文】:

图1 氧化限制型高速VCSEL截面示意图

图1 氧化限制型高速VCSEL截面示意图

氧化限制型高速VCSEL截面示意图如图1(彩图见期刊电子版)所示。其主要包括有源区,p-和n-布拉格反射镜(DBR),单层或多层氧化孔,苯丙环丁烯(BCB)填平材料,p-、n-电极和共面电极。有源区可为量子阱或量子点。DBR由两种具有不同折射率、每层厚度为四分之一波长的材料交替生....


图2 室温下3μm、6μm和9μm氧化孔径的高速940 nm VCSEL测试结果。(a)L-I;(b)V-I;(c)光谱;(d)边模抑制比;(e)3 d B带宽;(f)眼图[16]

图2 室温下3μm、6μm和9μm氧化孔径的高速940 nm VCSEL测试结果。(a)L-I;(b)V-I;(c)光谱;(d)边模抑制比;(e)3 d B带宽;(f)眼图[16]

高速单模VCSEL相比于高速多模VCSEL具有低色散的优点,可提高光纤传输距离,也更适合于WDM[15]。本课题组研制了不同氧化孔径的940nmVCSEL,测试表征了3μm、6μm和9μm氧化孔径VCSEL的功率-电流(L-I)、电压-电流(V-I)、光谱、小信号响应和传输速....


图3 (a)基于4个波长的VCSEL和多模光纤的WDM传输示意图[2];(b)850 nm、880 nm、910 nm和940 nm高速VCSEL光谱[12]

图3 (a)基于4个波长的VCSEL和多模光纤的WDM传输示意图[2];(b)850 nm、880 nm、910 nm和940 nm高速VCSEL光谱[12]

WDM可以提升光链路的通信容量和传输速率。4个波长WDM传输系统示意图如图3(a)(彩图见期刊电子版)所示。本课题组研制了850nm、880nm、910nm和940nm4个波长的高速VCSEL。4个波长的高速VCSEL在3μm氧化孔径下都呈现单模特性,如图3(b)(彩图....


图4 较长光子寿命(蓝线)和较短光子寿命(红线)的高速VCSEL的大信号调制的比特率BR和能耗EDR关系。通过实验计算的频谱效率约为M=2.1[20]

图4 较长光子寿命(蓝线)和较短光子寿命(红线)的高速VCSEL的大信号调制的比特率BR和能耗EDR关系。通过实验计算的频谱效率约为M=2.1[20]

因此,可通过光子寿命和比特率的优化降低光链路的能耗。例如,使用具有2.6ps光子寿命的VCSEL,50Gbit/s的EDR为400fJ/bit,200Gbit/s的光链路中VCSEL能耗为1600fJ/bit。而使用具有7.1ps光子寿命的VCSEL,25Gb....



本文编号:4057844

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