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1091. GaN/In x Ga 1-x N型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响
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1092. Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究
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1093. 基于60nmT型栅f T ＆f max 为170＆210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）
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1094. 高性能X波段增强型凹栅Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MIS-HEMT
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1095. ADI收购宽带GaAs和GaN放大器专业公司OneTree Microdevices打造完整的电缆基础设施解决方案
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1096. U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响
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1097. 纤锌矿In x Ga 1-x N/GaN核壳量子点中类氢杂质态的光吸收性质
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1098. 具有高开启/关断电流比的Al 2 O 3 /AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）
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1099. 肾移植受者UGT1A9、UGT1A8、UGT2B7、ABCC2、ABCG2和SLC01B3基因多态性与霉酚酸酯所致不良反
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