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651. 等离子体表面处理对硅衬底GaN基蓝光发光二极管内置n型欧姆接触的影响
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652. (GaN) 1-x （ZnO） x 纳米材料的形貌和带隙调控及光催化性能研究
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653. 非平行文本条件下基于i-vector、VAE和GAN的多对多语音转换算法研究
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654. (GaN) 1-x (ZnO) x 固溶体纳米线成分和晶面调控及光催化性能研究
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655. GaN/In x Ga 1-x N型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响
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656. Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究
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657. 基于60nmT型栅f T ＆f max 为170＆210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）
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658. 高性能X波段增强型凹栅Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MIS-HEMT
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659. ADI收购宽带GaAs和GaN放大器专业公司OneTree Microdevices打造完整的电缆基础设施解决方案
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660. U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响
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