近/中红外低维量子激光器及其特性研究
【文章页数】:157 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1-1全球互联网发展趋势:(a)互联网用户数量变化图;(b)全球每月数据流量变化图
第一章绪论第一章绪论言入21世纪以来,以计算机和互联网为代表的第三次信息技术工业数据计算、人工智能、物联网、虚拟现实等为代表的第四次信息技术迅猛发展。如图1-1(a)所示,互联网的用户数已由1995年互联网刚0万飙升至目前超过地球总人口一半近40亿人。为了满足....
图1-3QWs结构示意图:(a)QWs异质结结构;(b)QWs能带与受激辐射示意图
图1-3QWs结构示意图:(a)QWs异质结结构;(b)QWs能带与受激辐射示意图随着器件加工工艺的提升,特别在美国贝尔实验室华裔科学家卓以和(Alfred.Y.Cho)于1968年发明了用于精确控制材料生长的分子束外延方法(MolecularBeamEpitax....
图1-8首个报道的QCL导带能级结构
电子科技大学博士学位论文上首次报道证明[73]。该课题组研究者们利用MBE方的QCLs,其中SL为Al0.48In0.52As-Ga0.47In0.53As结构,如密度为11kA/cm2的720μm长的QCL,他们在10K温6μm,输出功率为8mW....
图1-9美国西北大学量子器件中心的在2007年至2011年的QCL器件性能提升[86]
4.6μm的15mW连续波输出,并在200K的情况下获时,他们发现器件的单模激射峰可以随温度发生1.8ci等人通过调整有源区层厚度,并利用等离子体增强波下在8.4μm波长上的30mW峰值功率输出。1996年、隧穿注入区和三阱垂直跃迁有源区的结构设计[....
本文编号:4055769
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